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[국내] 산화아연 나노선 물성제어 방법 / 맹종선, 김성현, 황현상, 이탁희 / 10-2009-0030833 (2009-04-09)

[국내] 3차원 구조를 갖는 저항 변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법 / 황현상 / 2009-0018722 (2009-03-05)

[국내] 3차원 저항 변화 메모리 소자, 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 및 전자제품 / 이우태, 황현상 / 2010-0135203 (2010-12-27)

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[국내] 저항 변화 메모리 소자 및 저항 변화 메모리 소자 크로스 포인트 어레이 / 이준명, 황현상 / 2010-0112331 (2010-11-11)

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[국내] 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리 / 조민석, 황현상 / 10-2010-0055292 (2010-06-11)

[PCT] 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 / 황현상, 성동준 / PCT/KR2010/000128 (2010-01-08)

[국내] 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 / 황현상 / 2010-0001681 (2010-01-08)