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[JP] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / 2009-158437 (2009-07-03)

[EP] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / EP09164520.0 (2009-07-03)

[US] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / 12/494,212 (2009-06-29)

[국내] 비휘발성 저항 변화 메모리 소자  / 황현상, 성동준 / 10-2009-0055732 (2009-06-23)

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