Semiconductor Integrated Device & Process Lab.

Patents

Home Publications Patents

Patents

10

[국내] 수직형 논리곱 가중치 소자 및 그의 동작 방법 / 유인경, 황현상 / 10-2005631 (2019-07-24)

9
[국내] 카바이드계 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 / 황현상, 평명범 / 2008-0093399 (2008-09-23)
8
[국내] 저항 변화 메모리 소자 및 저항변화 메모리 소자의 포밍방법 / 황현상, 이동수 / 2008-0093392 (2008-09-23)
7
[국내] 게이트 구조물에 가변 저항체를 가지는 저항변화 메모리 및 이의 동작 방법 / 황현상 / 2008-0068111 (2008-07-14)
6
[국내] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법 / 황현상, 윤재식 / 2008-0064487 (2008-07-03)
5
[국내] 금속산화물 전극을 구비하는 저항변화 메모리소자 및 이의 동작방법 / 황현상, 무사랏 하산 / 2008-0033522 (2008-04-11)
4
[국내] 반응성 금속막을 구비하는 저항변화 메모리 소자 및 이의 동작방법 / 황현상, 무사랏 하산, 루이 동 / 2008-0033526 (2008-04-11)
3
[국내] 비휘발성 저항변화 메모리 소자 / 황현상 / 2008-0033558 (2008-04-11)
2
[국내] 저온고압열처리를 이용한 비휘발성 메모리 제조방법( METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY NONVOLATILE MEMORY BY USING LOW TEMPERATURE HIGH PRESSURE ANNEALING )  / 황현상, 장만, 이준명 / 2008-0010143 (2008-01-31)
1
[국내] 복층 블로킹 절연막을 갖는 플래시 메모리 소자의 제조 방법 및 이를 이용한 플래시 메모리 소자 ( Method for Fabricating of Flash Memory Having Double Layer blocking Oxide and Flash Memory Device Using the same )  / 황현상, 장만 / 2008-0003326  (2008-01-11)
    이전페이지 1 다음페이지